Поисковый запрос: <.>R=47.13$<.> |
Общее количество найденных документов : 2359
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
| Алексеенко С.П.
Монтаж узлов и блоков радиоэлектронных устройств: Учеб. пособие
Корчагин В.В., Кузьмин А.Ю. - М.: ВИ МВД России. - 2001. - 138 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 240 экз.
ГРНТИ: 47.13.15
УДК: 621.396.6.002.72
Предметные рубрики: Радиоэлектронная аппаратура
Держатели документа:
|
2.
| Королев М.А.
Технология и конструкции интегральных микросхем: Учеб.пособие: Ч.1: Основы технологических процессов изготовления кремниевых интегральных микросхем
Королев М.А. -Б.м. - 2000. - 159 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т). - ISBN 5-7256-0246-X. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 47.33.31; 47.13.11
УДК: 621.3.049.77
Предметные рубрики: Интегральные схемы
Держатели документа:
|
3.
| Балашов Ю.С.
Сборочные операции и их контроль в микроэлектронике: Учеб.пособие
Зенин В.В., Сегал Ю.Е. - Воронеж. - 1999. - 160 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.: Воронеж. гос. техн. ун-т. . - Тираж 300 экз.
ГРНТИ: 47.13.15; 47.13.81
УДК: 621.3.049.76.002.72
Предметные рубрики: Микроэлектронные приборы
Держатели документа:
|
4.
| Прасолов Б.М.
Методы оптимизации решений при проектировании и производстве РЭА: Учеб.пособие. - Омск. - 2000. - 90 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 120 экз.
ГРНТИ: 47.13.05; 47.14.17
УДК: 621.396.6.001.2; 621.396.6.002
Предметные рубрики: Радиоэлектронная аппаратура
Держатели документа:
|
5.
| Райнова Ю.П.
Быстрые термические процессы в технологии микроэлектроники: Учеб.пособие по курсу "Перспектив.процессы технологии микроэлектроники". - М. - 2001. - 103 с.: ил.1 л. ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т). . - ISBN 5-7256-0289-3. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 47.13.11
УДК: 621.3.049.76.002
Предметные рубрики: Микроэлектронные приборы
Держатели документа:
|
6.
| Попков В.И.
Методы оперативного контроля качества полупроводниковых материалов
Казаков О.Г., Радькова Н.О. - Брянск. - 2001. - 50 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.: Брян. гос. техн. ун-т. . - ISBN 5-89838-040-X. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 47.13.81
УДК: 621.382.002:658.562
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы
Держатели документа:
|
7.
| Еникеев Э.Х.
Образование фазы силицида при имплантации низкоэнергетичных ионов Mo+ и Ta+ в кремний
... Отд. колебаний. - М. - 1990. - 24 с.: ил. -(Препринт; N72). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 47.13.11
УДК: 621.315.592.002(04)
Предметные рубрики: Ионное внедрение
Перевод заглавия: Silicide phase form ation during the low-energy Mo+ and Ta+ ion implantation to silicium
Аннотация: В работе исследовалось фазообразование дисилицидов при имплантации низкоэнергетичных ионов переходной группы (Мо, Та). Имплантация проводилась на установке с лазерно-плазменным источником ионов с энергией ионов равной 5 кэВ, средней плотности ионного тока - 4 мкА/см. и плотности тока в импульсе - 1 мА/см. В качестве облучаемых образцов использовались кремниевые пластины типа КЭФ-1 с ориентацией (III). Исследования облученных приповерхностных слоев кремния проводилось при помощи просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и электронографии на отражение, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС), резерфордовского обратного рассеяния (РОР) ионов в сочетании с каналированием, ИК-спектроскопии пропускания и многолучевого интерферометра МИИ-2. Установлено, что при имплантации ионов Мо. и Та. дозами 2х10.+1,5х10. ион/см. в процессе ионной имплантации образуются дисилициды. В случае идентичности кристаллической структуры дисилицида и кремниевой матрицы (для тантала), происходит их рост в локальных центрах по мере увеличения дозы имплантации. А после проведения термического отжига в атмосфере азота при температуре Т=800.С в течении 40 мин происходит частичный отжиг дефектов в кремнии, а также образование островковой структуры из дисилицидов или сплошного слоя дисилицида в зависимости от величины дозы облучения.
Держатели документа:
|
8.
| Babin A.A.
Nd laser fifth harmonic interaction with polymer films
Bityurin N.M., Polyakov A.V. - Nizhny Novgorod. - 1992. - 18 p. -(Препринт; N313). - На англ.яз. - Российская Федерация. - Bibliogr.: p. 16-18 (23 nazv.)
ГРНТИ: 47.13.11
УДК: 621.3.049.77.002:776(04)
Предметные рубрики: Фотолитография
Перевод заглавия: ND laser fifth harmonic interaction with polymer films: Preprint
Держатели документа:
|
9.
| Алешин А.Н.
Диффузионные процессы в тонкопленочных металлических системах: Препринт
Бокштейн Б.С., Куркин П.В. - пос. Черноголовка (Моск. обл.). - 1992. - 47 с. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 47.33.31; 47.13.11
УДК: 621.3.049.77.002:621.793(04)
Предметные рубрики: Интегральные схемы --Металлизация
Перевод заглавия: Diffusion in thin film metallic systems
Аннотация: Проблема диффузионного массопереноса в тонких (менее 200 нм) слоях, особенно в тонкопленочных металлических системах, которые используются для металлизации в производстве электронных приборов
Держатели документа:
|
10.
| Институт проблем моделирования в энергетике. .
Диагностика энергетических и электронных систем: Сб. науч. тр.
АН УССР.Ин-т проблем моделирования в энергетике;Редкол.:В.А.Гуляев(отв.ред.)и др. - Киев: Наук. думка. - 1990. - 151 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 540 экз.
ГРНТИ: 44.01.81; 47.13.81
УДК: 620.9.002.5.001.4; 621.384.001.4
Предметные рубрики: Энергетическое оборудование
; Электронные приборы
Перевод заглавия: Technical diagnostics of power and electronic systems. Collection of transactions.
Аннотация: Рассматриваются методы математического моделирования процессов диагностирования энергетического и электронного оборудования, включая моделирование характеристик надежности и эффективности. Излагаются методы оперативной обработки диагностической информации о техническом состоянии сложных объектов, методы построения устройств и систем тестового и функционального диагностирования, вопросы контролепригодности и тестирования микропроцессоров и аналоговых устройств
Держатели документа:
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных